2020年4月7日，北方华创theoris sn302d型12英寸氮化硅沉积设备move in国内集成电路制造龙头企业。该设备的交付，意味着国产立式lpcvd设备在先进集成电路制造领域的应用拓展上实现重大进展。
氮化硅(si3n4)薄膜是一种应用广泛的介质材料。作为非晶绝缘物质，氮化硅膜的介质特性优于二氧化硅膜，具有对可动离子阻挡能力强、结构致密、针孔密度小、化学稳定性好、介电常数高等优点，常用于集成电路制造中的介质绝缘、杂质掩蔽、浅沟道隔离、掩膜、外层钝化保护等工艺。作为一种性能优良的重要介质材料，在集成电路制造领域，氮化硅薄膜广泛使用lpcvd类型设备制备，而颗粒控制水平是设备能力的一项重要指标。
北方华创在氮化硅工艺设备theoris sn302d的开发过程中，通过整合已有产品平台技术，针对性地研发了快速升降温加热技术和炉口气流优化技术，良好地解决了氮化硅工艺过程中颗粒控制不稳的技术性难题。并在满足常规生产能力的基础上，为提升客户使用的附加价值，进一步开发了长恒温区反应腔室设计，实现了高产能的硬件技术解决方案，匹配市场的多样化需求。
经过10余年的创新发展，北方华创立式炉从无到有，从设备研发到产业化，目前已形成氧化（oxide）、退火（anneal）、化学气相沉积（lpcvd）、合金（alloy）四大系列工艺设备，设备性能达到国际同类产品的先进水平。北方华创在不断拓展产品应用领域的同时，也将致力于帮助客户提升工艺性能、提高产能、降低成本，为半导体集成电路领域的广大客户带来无限可能。
来源：中国半导体照明网

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